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Y
Y.D. Chan
university of chinese academy of sciences, cas
12
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55
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428
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0
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2
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IF
被引数
Direct evidence of reactive ion etching induced damages in Ge2Sb2Te5 based on different halogen plasmas
基于不同卤素等离子体的Ge2Sb2Te5反应离子刻蚀损伤的直接证据
APPLIED SURFACE SCIENCE
IF
6.9
2016-08-01
23
PRE
AI
Li, Juntao; Xia, Yangyang; Liu, Bo; Feng, Gaoming; Song, Zhitang; Gao, Dan; Xu, Zhen; Wang, Weiwei; Chan, Yipeng; Feng, Songlin
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Observation of a new type of plasma etching damage: Damage to N-channel transistors arising from inductive metal loops
APPLIED PHYSICS LETTERS
IF
3.6
1996-03-18
8
PRE
AI
Salah, A; Awadelkarim, OO; Preuninger, F; Chan, YD
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研究方向
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合作学者
合作期刊
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刘波
(Bo Liu)
H 指数: 104 · 论文数: 4.5K
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Zhen Xu
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