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Farzaneh Izadinasab

babol noshirvani university of technology

3H指数
4论文数
112被引数
收录论文 1
发表时间
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A Reliable Low Standby Power 10T SRAM Cell With Expanded Static Noise Margins具有扩展静态噪声容限的可靠低待机功耗10t SRAM单元
errIEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS
IF5.2
err2022-04-01
err42
PREAI
errAbbasian, Erfan; Izadinasab, Farzaneh; Gholipour, Morteza
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研究方向

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合作学者
合作期刊
M
Morteza Gholipour
H 指数: 20 · 论文数: 64
E
Erfan Abbasian
H 指数: 20 · 论文数: 66
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