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收藏Room-temperature photoluminescence, contactless electroreflectance, and x-ray characterization of a double-side delta-doped GaAlAs/InGaAs high electron mobility transistor structure
Huang, YS; Sun, WD; Malikova, L; Pollak, FH; Ferguson, I; Hou, H; Feng, ZC; Ryan, T; Fantner, EB
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