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收藏Donor levels and the microscopic structure of the DX center in n-type Si-doped AlxGa0.51-In0.49P grown by molecular-beam epitaxy
Makinen, J; Laine, T; Partanen, J; Saarinen, K; Hautojarvi, P; Tappura, K; Hakkarainen, T; Asonen, H; Pessa, M; Kauppinen, JP; Vanttinen, K; Paalanen, MA; Likonen, J
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