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Gowtham, P.

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Impact of Indium Concentration and Polarization-Graded Back Barriers in InAlN/GaN/AlGaN HEMTs铟浓度和极化梯度背势垒对InAlN/GaN/AlGaN HEMT的影响
errDoklady Physics
IF0.5
err2026-05-01
err0
PREAI
errGowtham, P.; Subhashini, T.; B, Rohith Bala Jaswanth; Venkatesan, R. S.
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研究方向

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合作学者
合作期刊
R
Rohith Bala Jaswanth B
H 指数: 1 · 论文数: 10
V
Venkatesan, R. S.
H 指数: 0 · 论文数: 1
S
Subhashini, T.
H 指数: 0 · 论文数: 1
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