D
Donald Lupo
H指数:31
被引数:7,093
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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通过原子层沉积优化高介电常数HfO2晶体管介质,作为新型薄膜电路和传感器实现的关键技术。
通过原子层沉积法对多孔碳超级电容器电极上致密钛氧化物纳米薄膜的界面工程化
一种改进的指数模型,用于在变化的负载条件下印刷超级电容器模块的充放电行为
用于物联网 (IoT) 的柔性溶液处理氧化铟 (In2O3) 薄膜晶体管 (TFT) 和电路
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P-gaas纳米线欧姆接触的优化
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SCIENTIFIC REPORTS
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大面积印刷超级电容器技术绿色储能
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