N
Ningning Chen
H指数:14
被引数:620
个人简介
暂无内容
教育背景
暂无内容
工作经历
暂无内容
荣誉奖项
暂无内容
终端位阻屏蔽解决了溶剂共插层降解问题:用于结构耐用的K-ion电池的分子定制弱溶剂化电解质
RuCoNiCuMn高熵MOF的增强重建,用于优异的碱性析氧反应
通过可控的去掺杂策略增强N掺杂碳的K存储动力学
用于高效钾离子电化学存储的简易硫化学辅助碳重构
ELECTROCHIMICA ACTA
IF5.6
钾离子电池界面电化学的双位阻调制
ACS NANO
IF16
温度响应性聚 (3-癸基吡咯) 赋予锂离子电池热关断功能和改善的电化学性能
ELECTROCHIMICA ACTA
IF5.6
HELIYON
IF3.6
ELECTROCHIMICA ACTA
IF5.6
具有强电子相互作用的晶体-非晶异质结构的界面工程,用于有效的碱性水分解
碳晶须阵列 @ 中空碳球阳极的超细设计,用于优异的K存储
NANOSCALE
IF5.1
通过原位多孔策略合成的硬碳阳极,用于先进的钾离子电池
TiO2阳极的电解质操纵增强的伪电容K存储
通过电解质调节实现碳球约束Sb的稳定K存储性能
FeS2纳米颗粒在多孔碳基质上的自模板锚定,作为高度可逆的K存储阳极
通过分子设计驱动的结构转变操纵软碳的K-存储机制
C1N1-Derived N掺杂缺陷碳纳米片的结构操纵可显着提高K存储性能

