T
Taoyu Zou
H指数:23
被引数:1,962
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荣誉奖项
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片上均匀的非铁电κ相In₂Se₃晶体管
Nature Communications
IF15.7
卤化物钙钛矿器件中的超低接触电阻
Nature Materials
IF38.5
本质可拉伸2D MoS2晶体管
Nature Communications
IF15.7
通过硒化物中间层进行接触工程以实现高性能p型二维WSe2晶体管
基于2D半导体墨水的柔性整体式3D互补电路
Nature Communications
IF15.7
硫氧化还原介体用于低温柔性非晶氧化物CMOS电子学
Science Advances
IF12.5
作者更正:硒合金化碲氧化物用于非晶p沟道晶体管
Nature
IF48.5
神经形态多感官推理:使用混合可塑性人工突触簇
DEVICE
IF8
用于本征可拉伸场效应晶体管的半导体纳米材料
Advanced Science
IF14.1
神经形态色度通信环路中的氧化物半导体用于极端环境探索
SCIENCE ADVANCES
IF12.5
气相沉积高性能锡钙钛矿晶体管 (4月,10.1038/s41928-025-01380-8,2025)
NATURE ELECTRONICS
IF40.9
负载分子敏化剂的单层有机半导体用于高性能H2S传感器
ACS NANO
IF16
采用电子吸引苯硫酚的MoS2晶体管中硫空位的后端工艺兼容钝化
ACS NANO
IF16
印刷量子点光电探测器,用于从高能到红外区域的应用
NANO ENERGY
IF17.1
具有薄膜异质结构的二维隧穿mem晶体管,用于低功耗逻辑存储器互补金属氧化物半导体
ACS NANO
IF16
NPG ASIA MATERIALS
IF8.3
通过WSe2的p掺杂实现的电荷转移,用于基于2D材料的可印刷电子产品

