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收藏Evidence of spontaneous formation of steps on silicon(100)
Zhong, L; Hojo, A; Matsushita, Y; Aiba, Y; Hayashi, K; Takeda, R; Shirai, H; Saito, H; Matsushita, J; Yoshikawa, J
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收藏Surface modification of silicon (111) by annealing at high temperature in hydrogen
Zhong, L; Takeda, R; Izunome, K; Matsushita, Y; Aiba, Y; Matsushita, J; Yoshikawa, J; Hayashi, K; Shirai, H; Saito, H
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