M
Mei Guo
H指数:24
被引数:1,686
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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用于高速率Na离子存储的薄N掺杂碳包覆MoS2的合成
多模态忆阻器电路,具有并行处理和双自适应特征
不确定时滞非线性系统输出约束的自适应模糊固定时间控制
面向边缘计算的DCGAN高性能忆阻器电路设计
过渡金属和氮共掺杂MoS2 2的超高储锂性能
通过原子mo-nc的薄层涂层加速石墨中的高速率锂离子存储
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多模态忆阻器电路,具有并行处理和双自适应特征
不确定时滞非线性系统输出约束的自适应模糊固定时间控制
面向边缘计算的DCGAN高性能忆阻器电路设计
过渡金属和氮共掺杂MoS2 2的超高储锂性能
通过原子mo-nc的薄层涂层加速石墨中的高速率锂离子存储