V
Vidyanshu Mishra
H指数:7
被引数:216
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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发现具有As3 /As5配位及其强非线性光学响应的非中心对称Sr3As2S7和Sr3As2Se2.5S4.5
类金刚石半导体Li2Zn1–xCdxSnS4、Li2CdSn(S1–ySey)4和Li2ZnSn(S1–ySey)4的结构演化和光学可调性
非中心对称混合硫族化合物半导体 La3Ga1.67(S1-xSex)7
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LixAg1-xAlSe2的结构和光学性质
硒化物和硫化物是一样的吗?窄间隙稀土半导体RE2Sn(S1-xSex)5 (RE = La,Ce; x = 0-0.8) 的结构,光谱和性质
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具有三角双锥GaSe5单元的四元稀土氧硒化物RE 4Ga2Se7O2 (RE = Pr,Nd): 光学,热电和电催化性能的评估
Ge取代对Cu2ZnSn1-xGexS4光伏材料结构和光学性能的影响
由18电子规则定制的金属缺陷使金属基无机化合物稳定
控制稀土硫族化合物碘化物RE 3(Ge1-x Si x )2S8I (RE = La,Ce和Pr) 和Ce3Si2(S1-y Se y )8I的发光
LixAg1-xGaSe2和LixAg1-xInSe2的结构和光学性质
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铋取代对CsSnBr3结构和光学性质的影响
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少数报告: 在镓助熔剂中获得的YbNi3Ga9和YbCu3Ga8的结构和键合
半导体Sm3GaSe5O,带有三角bipyramidal GaSe5单位

