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任俊峰 封面图

任俊峰 (Junfeng Ren)

shandong normal university

24H指数
184论文数
2.0K被引数
收录论文 84
发表时间
Spin Hall effect from soliton dynamics in organic polymers
err2026-01-28
err0
errOAAI
errC Wang; H Ma; X B Zhang; H Q Zhang; H S Zhang; J F Ren; G C Hu
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Pressure-Induced Antiferromagnetic to Nonmagnetic Phase Transition in a Heptacene Junction
err2026-01-01
err0
PREAI
errZhang, Hui-Qing; Li, Jing-Tao; Ma, Han; Zhang, Xiao-Bei; Zhang, Guang-Ping; Ren, Junfeng; Qiu, Shuai; Hu, Gui-Chao
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Tunable layer-locked valley Hall effect in ferroelectric-magnetic-valley coupled breathing Kagome bilayer W3Br8
err2025-03-01
err0
PREAI
errLiu, Yuxin; Chen, Fanzheng; Hu, Guichao; Zhao, Xiuwen; Yuan, Xiaobo; Ren, Junfeng
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Ambient pressure superconductivity mediated by vanadium d electrons in electride 2H-VN2
err2025-02-28
err0
PREAI
errYin, Yue; Chen, Fanzheng; Hu, Guichao; Zhao, Xiuwen; Yuan, Xiaobo; Ren, Junfeng
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Spin polarization and transport of hybrid interface states in π-stacked magnetic molecular junctions
err2024-11-01
err0
PREAI
errZhang, Hui-Qing; Ma, Han; Li, Jing-Tao; Wang, Ying; Wang, Chu; Zhang, Guang-Ping; Ren, Jun-Feng; Hu, Gui-Chao; Qiu, Shuai
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Bias-induced magnetic to nonmagnetic transition in polyacene junctions
err2024-10-14
err0
PREAI
errLi, J. T.; Zhang, H. Q.; Ma, H.; Li, H. X.; Wang, Y.; Wang, C.; Zhang, G. P.; Ren, J. F.; Hu, G. C.
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Realization of Yin-Yang kagome bands and tunable quantum anomalous Hall effect in monolayer V3Cl6
err2024-07-23
err4
PREAI
errChen, Fanzheng; Lu, Jiajun; Zhao, Xiuwen; Hu, Guichao; Yuan, Xiaobo; Ren, Junfeng
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Strain-induced high-Chern-number spin-unlocked edge states in monolayer MnAsO3 with intrinsic quantum anomalous Hall effect
err2024-04-08
err2
errOAAI
errChen, Hongxin; Lu, Jiajun; Wang, Naibin; Zhao, Xiuwen; Hu, Guichao; Yuan, Xiaobo; Ren, Junfeng
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研究方向

凝聚态理论,低维纳米材料电子结构,谷电子学,拓扑自旋电子学等大尺度有机半导体材料电荷输运性质分子动力学量子时域模拟自旋扩散注入有机半导体的理论研究新型四方谷层耦合材料自发能谷极化自旋注入有机半导体的界面效应有机自旋器件磁电阻性质研究光电功能材料与器件超导性拓扑36: e26746滑动控制自旋-谷-层偏振反常霍尔效应二维交错磁双层铁电极化单原子催化水分解层滑移铁电性谷极化反转对称晶格层极化反常霍尔效应补偿亚铁磁双层四方交替磁体/铁磁单层M2SiCX2中的层锁多重谷霍尔效应物理铁电-磁-谷耦合材料谷霍尔效应电荷化合物2H-VN2中钒d电子介导的常压超导性量子反常霍尔效应单层MoTe2F2二维六方单层膜第一性原理计算Kagome晶格相变铁磁双层晶格中的谷层霍尔效应kagome能带应变诱导高陈数自旋解锁边缘态单层MnAsO3本征量子反常霍尔效应二维kagome晶格Ta3I8中的手性呼吸谷锁定高灵敏度柔性光电探测器肖特基异质结二维谷电子材料反常谷霍尔效应拓扑相变双极铁磁半导体二维铁磁半导体超交换相互作用反常谷霍尔效应调谐磁相变双金属氮化物单层MXene单层M3N2O2中自旋轨道耦合诱导的增强本征反常谷霍尔效应结构控制的谷分裂反常谷霍尔效应Janus VSe2/VSeX异质结二维Janus材料光催化水分解本征谷极化量子反常霍尔效应Janus Fe2SSe单层HfZrSiCO2中的本征谷劈裂与直接-间接带隙转变铁谷材料多铁异质结铁电谷材料二维铁电谷异质结构新型二维半导体H-ZrX2(X=Cl, Br, I)中的大谷极化激子-光子耦合准回音壁模式ZnO微棒腔II型能带对齐可调光学吸收MoSSe/InS范德华异质结构有机/拓扑绝缘体混合异质结光电探测器宽带超快光电探测聚并苯分子的长度诱导磁性机制极化子加速有机铁磁体极化子自旋进动Janus和常规TiBrI/CrI3与TiX2/CrI3异质结构的谷电子学与磁光性质能谷极化观测与操纵二维异质结二维MoSTe/MoGe2N4范德华异质结电子与光学性质应变可调电子和光学性质范德华异质结构掺杂石墨烯电子结构与光学性质二维GaP3自旋极化性质3d过渡金属掺杂有机铁磁体电场诱导磁性衰减Ca(OH)2/GeC范德华异质结的电子结构和增强光催化性质光学性质调控石墨烯/WSe2异质结构单层PdSe2缺陷电子光学性质稀土掺杂石墨烯/WSe2异质结光学性质应变调控电子与光学性质GaTe/MoS2范德华异质结锰掺杂InSe/WSe2范德瓦尔斯异质结的电子结构与光学性质Janus二维材料分子自旋极化过渡金属掺杂诱导二维MoSeTe自旋极化特性的第一性原理计算自旋极化振荡非磁性苯/Cu(100)界面自旋极化特性苯/石墨烯过渡金属掺杂五角PdSe2自旋极化性质甲醇分子在石墨烯上的吸附吸附氯仿氮掺杂石墨烯铝掺杂石墨烯第一性原理研究自旋极化性质噻吩分子吸附锯齿形石墨烯纳米带基于SVM的未修饰石墨烯泡沫化学传感器用于化学分子鉴别氯仿分子在石墨烯上的吸附性质噻吩/Fe(100)自旋界面处自旋极化性质界面电子结构共掺杂二氧化钛电子结构(Cu+N)共掺杂锐钛矿TiO2电子结构苯分子在Fe(100)表面吸附自旋极化性质并五苯自旋极化的密度泛函理论计算有机自旋电子学磁耦合性质Gd掺杂ZnO纳米线并五苯电荷诱导自旋极化密度泛函理论SiC/AlN核壳纳米线结构性质电子性质铝配合物低聚苯乙炔分子结在碱性和酸性溶液中的电子输运性质非绝热分子动力学载流子输运有机分子自旋极化T型有机器件中自旋注入效率的增强电流自旋极化磁电阻铁磁/有机半导体/铁磁系统有机自旋电子器件电流自旋极化