A
Aswin kumar Anbalagan
H指数:14
被引数:854
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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通过全固态硅阳极的反应性阳极电解液设计原位氮基硅酸锂中间层
Advanced Materials
IF26.8
单块氧化法制备的垂直梯度氧化钽薄膜实现低电压、低变异性的忆阻器开关
Fe单原子催化剂促进锂硫电池中与MoS2/SnS2阴极的快速电子转移
通过尿酸衍生的氮掺杂碳涂层增强富镍NCM811正极的电化学性能,用于锂离子电池
通过铂封装防止铌薄膜中 native oxide 的形成
Vacuum
IF3.9
揭示Gd掺杂少层MoS2薄膜中的鲁棒室温铁磁性
Advanced Science
IF14.1
基于磁滞回线和各向异性磁阻的CoFe薄膜在柔性云母和刚性MgO衬底上外延生长并考虑应变效应的磁传感器研究
揭示埋藏金属-基板界面层在Ta/蓝宝石超导薄膜中的起源与本质
ADVANCED SCIENCE
IF14.1
由同步加速器X射线单色束辐射引起的二维单层(1L)二硫化钼中S基面滑移诱导的相变,以实现卓越的电子性能
ADVANCED MATERIALS
IF26.8
NANOMATERIALS
IF4.3
通过掺氮导电载体增强Cu2ZnSnS4阳极的锂离子存储能力
ACS NANO
IF16
高性能析氧反应的V掺杂双空位 β-feooh电催化剂
用新型MoS2/Fe2O3/石墨烯复合电极制备高性能不对称超级电容器

