M
Mukesh Kumar Dasoundhi
H指数:3
被引数:27
个人简介
暂无内容
教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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Fe₃GeTe₂晶体的合成及通过自熔剂法和化学气相输运法制备的晶体的比较结构与磁输运研究
(Bi 0.45 Sb 0.60 ) 2 Te 3拓扑绝缘体中具有向上能带弯曲的拓扑表面状态的证据
ACTA MATERIALIA
IF9.3
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未登录个人简介暂无内容
教育背景暂无内容
工作经历暂无内容
荣誉奖项暂无内容
Fe₃GeTe₂晶体的合成及通过自熔剂法和化学气相输运法制备的晶体的比较结构与磁输运研究
(Bi 0.45 Sb 0.60 ) 2 Te 3拓扑绝缘体中具有向上能带弯曲的拓扑表面状态的证据
研究方向