S
Satoshi Hagiwara
H指数:36
被引数:4,442
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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ESM-RISM方法在模拟电极/电解质界面中的高效实现
高压锂离子电池中阴离子在正极导电碳材料中的动力学抑制插入
氧化铝/铝界面处的阴离子吸附诱导电荷分离
Corrosion Science
IF8.5
密度泛函理论结合有效筛选介质方法的偏置相关表面应力
PHYSICAL REVIEW B
IF3.7
锂金属多硫化物电池中VS4电极与碳酸酯溶剂之间副反应的理论考虑
ELECTROCHEMISTRY
IF1.7
结合密度泛函理论开发介电一致的参考相互作用位点模型用于电化学界面模拟
ACS OMEGA
IF4.3
在大正则系综下,通过第一性原理方法,H2O分子在金属表面上的偏置相关扩散
ELECTROCHIMICA ACTA
IF5.6
PHYSICAL REVIEW B
IF3.7
PHYSICAL REVIEW B
IF3.7

