E
Edgars Butanovs
H指数:11
被引数:385
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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Re掺杂VO<sub>2</sub>薄膜的合成与表征
Si离子注入对α-Ga₂O₃和β-Ga₂O₃横向MESFET晶体管的影响
Nanotechnology
IF2.8
ZnSe基核壳纳米线两步生长过程中通过温度优化控制MoSe2和WSe2壳的形貌
Optical Materials
IF4.2
SMALL
IF12.1
SCIENTIFIC REPORTS
IF3.9
MATERIALS
IF3.2
OPTICAL MATERIALS
IF4.2
SENSORS
IF3.5
ACS OMEGA
IF4.3
半导体纳米线的扭结: 综述
基于ZnO/WS2核/壳异质结构的快速响应单纳米线光电探测器

