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李连碧 (Li, Lianbi)
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个人简介
"担任全国半导体材料与器件专家委员会理事，中国电源学会、陕西省物理学会会员。ACS Applied Materials & Interfaces, RSC advances, Journal of Applied Physics等国际刊物审稿人。近年来，主持国家自然科学基金、陕西省重点研发计划项目、陕西省自然科学基础研究计划项目、中国博士后科学研究基金等多项科研项目。先后在Nano letters, Nanotechnology, CrystEngComm, Mater. Lett., J. Appl. Phys.等国内外学术刊物发表高水平科研论文50余篇，其中第一作者或通讯作者SCI二区及以上论文20余篇。出版中英文专著各一部，授权国家发明专利4项，获陕西省高校科技进步奖二等奖、三等奖。\n教育背景及工作经历\n201803-201903，美国明尼苏达大学，访问学者\n201112-至今，西安工程大学理学院，教师\n200703-201110，西安理工大学，微电子与固体电子学，博士\n荣誉获奖\n1. 低维碳纳米体系中量子输运调控机理及应用研究，陕西高等学校科学技术研究优秀成果奖二等奖，2022年.\n2. Si/SiC大失配度异质结制备工艺及表征方法,陕西省教育厅,陕西高等学校科学技术奖二等奖, 2018年.\n3. 飞秒和皮秒光脉冲同步特性与探测技术的研究,陕西省教育厅,陕西高等学校科学技术奖三等奖, 2015年.\n■教学工作\n主讲课程\n本科生《大学物理实验》、《微电子测试与分析》\n研究生《半导体材料物理学》、《化合物半导体材料》\n教育教学\n1. 陕西省示范性虚拟仿真实验教学项目，硅晶圆切片、研磨抛光工艺虚拟仿真实验项目，2018.10；\n2. 省级一流课程，CMOS反相器制备工艺虚拟仿真实验，2021.07；\n3. 西安工程大学教育教学改革研究项目，MOOC与研讨式教学相结合的大学物理实验综合教学模式改革，2021.07.\n■科研及社会服务\n主持科研项目\n1. SiC基高速、高红外响应度SiC/Ge异质结光电二极管的研究，国家自然科学基金，51402230；\n2. 三维石墨烯微纳结构的应力自组装及表面等离激元光电器件研究，陕西省重点研发计划项目，2020KW-011；\n3. 近红外、高响应度SiC/Ge异质结光电二极管研究，陕西省自然科学基础研究计划项目，2015JM6282；\n4. 石墨烯基异质结光电探测器技术研发及产业化应用，陕西省教育厅服务地方专项计划项目，22JC033；\n代表性成果\n1. 硅锗半导体材料的异质结光电应用，吉林大学出版社，2019年5月.\n2. HETEROJUNCTIONS AND NANOSTRUCTURES（CHAPTER TITLE: Growth mode and characterization of Si/SiC heterostructure），2018年3月，IntechOpen.\n3. W.Z. Yu, K.W. Gong, Y.Y. Li, B.B. Ding, L. Li, Y.K. Xu, R. Wang, L.B. Li*, et al. Flexible 2D materials beyond graphene: synthesis, properties, and applications. Small 2022, 2105383.\n4. R. Wang, L.B. Li*, L. Li, et al. Fabrication and characterization of Ge/graphene heterojunction on a flexible polyimide substrate. Mater. Lett. 2022, 308:131155.\n5. K.W. Gong, J.C. Hu, N. Cui, Y.Z. Xue, L.B. Li*, et al. The roles of graphene and its derivatives in perovskite solar cells: A review. Materials & Design. 2021, 211: 110170.\n6. Y.K. Xu, L.B. Li*, Y. Zang, et al. Forward bending of silicon nanowires induced by strain distribution in asymmetric growth. Mater. Lett. 2021, 297: 129929.\n7. C.H. Dai, L.B. Li, D. Wratkowski, et al. Electron Irradiation Driven Nanohands for Sequential Origami. Nano Lett. 2020, 20, 7, 4975.\n8. L.B. Li*, Y. Zang, S.H. Lin, et al. Fabrication and characterization of SiC/Ge/graphene heterojunction with Ge micro-nano structures. Nanotechnology 2020, 31:145202.\n9. Q. Chu, L. B. Li*, C.J. Zhu, et al.. Preparation of SiC/Ge/graphene heterostructure on 4H-SiC(0001), Mater. Lett., 2018, 211:133.\n10. Y. Zang, L. B. Li*, Q. Chu, et al.. Graphene as transparent electrode in Si solar cells: A dry transfer method, AIP Advances, 2018, 8, 065206.\n11. L. B. Li*, Y. Zang, J. C. Hu, et al.. Photoelectric properties of Si doping superlattice structure on 6H-SiC(0001), Materials, 2017, 10, 583.\n12. Y. Zang, L. B. Li*, Q. Chu, et al.. Growth of graphene/Ge/Si heterostructure on Si(001) substrate, Mater. Lett., 2017, 205, 162.\n13. Y. Zang, L. B. Li*, J. An, et al.. Si/SiC heterojunction prepared by Metal Induced Crystallization of amorphous silicon, Mater. Lett., 2017, 188, 409.\n14. L. B. Li*, Z. M. Chen, Y. Zang. Epitaxial growth of Si/SiC heterostructures with different preferred orientations on 6H-SiC(0001)by LPCVD. CrystEngComm, 18:5681, 2016.\n15. L. B. Li*, Z. M. Chen, Y. Zang, et al.. Atomic-scale characterization of Si(110)/6H-SiC(0001) heterostructure by HRTEM. Mater. Lett., 163:47, 2016.\n16. L. B. Li*, Z. M. Chen, Y. Zang. Interface-structure of the Si/SiC heterojunction grown on 6H-SiC. J. Appl. Phys., 117:013104, 2015.\n17. 一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管及制造方法:中国，发明专利，201610378283.2，2018年3月授权\n18. 一种碳化硅/晶体-锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法:中国，发明专利，201710803903.7，2019年3月授权\n19. 一种新型CVD石墨烯干法转移方法:中国，发明专利，201810320411.7，2021年6月授权\n20. 柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法:中国，发明专利，202010071226.6，2022年3月授权\n兼职情况\n全国半导体材料与器件专家委员会理事，中国电源学会、陕西省物理学会会员。ACS Applied Materials & Interfaces, RSC advances, Journal of Applied Physics等国际刊物审稿人。"
教育背景
西安理工大学 博士 微电子与固体电子学
工作经历
美国明尼苏达大学
访问学者
西安工程大学理学院
教师
荣誉奖项
- 低维碳纳米体系中量子输运调控机理及应用研究（2022年）｜陕西高等学校科学技术研究优秀成果奖
- Si/SiC大失配度异质结制备工艺及表征方法（2018年）｜陕西省教育厅,陕西高等学校科学技术奖
- 飞秒和皮秒光脉冲同步特性与探测技术的研究（2015年）｜陕西省教育厅,陕西高等学校科学技术奖
超越石墨烯的柔性2D材料: 合成、性质和应用
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