E
Emre Gurpinar
H指数:19
被引数:1,851
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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电容器技术: 下一代电力电子应用的特性、选择和封装
PROCEEDINGS OF THE IEEE
IF25.9
自供电高频调制SiC功率MOSFET隔离栅驱动器
用于GaN HEMT逆变器的低电感开关功率单元设计
使用Si igbt、SiC mosfet和GaN hemt的单相T型逆变器性能基准
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电容器技术: 下一代电力电子应用的特性、选择和封装
自供电高频调制SiC功率MOSFET隔离栅驱动器
用于GaN HEMT逆变器的低电感开关功率单元设计
使用Si igbt、SiC mosfet和GaN hemt的单相T型逆变器性能基准