未登录
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收藏Enhancement of positive bevel /3-Ga2O3 trench MOS barrier Schottky diode by post-etching treatment通过后蚀刻处理增强正斜面/3-Ga2O3沟槽MOS势垒肖特基二极管
Zhang, Fang; Zheng, Xue Feng; Li, Ye Hong; Yuan, Zi Jian; Yue, Shao Zhong; Wang, Xi Chen; He, Yun Long; Li Lu, Xiao; Ma, Xiao Hua; Hao, Yue
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