万文辉 (Wenhui Wan)

可逆结构相变及GaOY (Y = Cl, Br) 单层材料的多功能切换

Janus GeSO单层的优异压电和热电性能：一项第一性原理研究

SeWS/bilayer-SiC异质结：一种具有高可见光吸收、优异载流子迁移率和可调带隙的S-scheme型光催化剂

高居里温度和优异的自旋输运性质在CrS3和CrS2Se一维铁磁半导体中

预测具有反铁磁半导体特性的FeS3单层及其可手性调控的反铁磁特性

压力下原始及Mg掺杂Ga2O3的空穴迁移率的第一性原理研究

基于第一性原理的Janus单层CrXY (X = P, As; Y = Cl, Br, I)二维铁磁性半导体的研究

二维材料Cr2X4Y (X = S，Se; Y = Ga，Ge，in，Sn) 单层铁磁性的第一性原理预测

MX (M = Sn，Pb; X = P，As) 单分子膜中载流子迁移率和应变效应的第一性原理研究

预测双层 α-硼烯中的节线费米子和声子介导的超导性

MNBr (M = Mo，Cr，V) 单层: 具有高居里温度的二维铁磁半金属材料

CrTe的稳定和亚稳态结构中的不同磁性