T
Tianyu Liu
H指数:8
被引数:203
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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通过PyC层减轻基体硅化并提高涂层C/C-SiC-HfB2复合材料的性能
AnytimeFormer:融合不规则和异步SAR-光学时间序列以在任何给定时间重建反射率
通过Zr4+掺杂提高钛酸盐基介电陶瓷的能量存储效率
通过B位改性增强 (Bi0.4Sr0.2 K0.2Na0.2)(Ti1-xZrx)O3高熵陶瓷中的低场储能性能和介电稳定性
Nd3掺杂 (Bi0.40K0.2Na0.2Sr0.2)TiO3高熵陶瓷的增强低场储能性能
中等电场下 (Bi0.4Ba0.2K0.2Na0.2) TiO3-NaNbO3高熵陶瓷的储能性能增强
通过引入Sr(Mg1/3Nb1/3 ta1/3)O3中熵端元在 (Bi0.4Na0.2K0.2Ba0.2)(Ti0.95Zr0.05) O3-based高熵陶瓷中具有优异的储能性能
含Ln元素的 (Bi0.2Ln0.2Sr0.2K0.2Na0.2)TiO3高熵钙钛矿氧化物的合成
ZrO2掺杂提高Bi0.5Na0.5TiO3基无铅介质陶瓷的储能性能和高温稳定性
具有由Sr(Mg1/3 nb2/3)O3修饰的相边界的BNT基陶瓷的增强的储能性能
0.88(Bi0.4Na0.2K0.2Ba0.2)TiO3-0.12Sr(Mg1/3 nb2/3)O3高熵介电陶瓷烧结助剂的筛选

