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A
A. Rosová
H指数:19
被引数:1,013
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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基于SiCl<sub>4</sub>的等离子体刻蚀用于β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MOSFETs中低损伤的台面和栅极凹陷可控形成
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MATERIALS
IF3.2
NANOMATERIALS
IF4.3
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MATERIALS & DESIGN
IF7.9
