G
Guoqiang Lv
H指数:18
被引数:1,033
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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在不同热物理特性坩埚下对直拉硅炉底部热泄漏的调查研究
在Si–Cr–C熔体系统中,线圈位置对TSSG法生长SiC单晶的影响
CrystEngComm
IF2.6
脱灰高脲醛树脂生物质废料的快速热解制备平台化学品和碳质燃料
Polymers
IF4.9
热场尺寸效应对大尺寸硅晶体直拉生长中熔体流动和氧输运的影响
PCN/WS2-Vs异质结构中界面缺陷协同作用对增强光电器化学氢气析出性能的影响
通过TSSG从Si–Nd–C熔体中低温生长高质量SiC单晶:多物理场模拟与实验验证
Tesla阀构型的低浓度甲烷燃烧多目标优化研究
关于利用生物质废弃物热解炭作为硅还原剂的研究:与理想林业木炭的深入比较
氩诱导热场优化及氧挥发用于CZ硅生长中空位-氧缺陷的控制
旋转速度差与生长速率对Czochralski硅中VOx缺陷行为的耦合效应数值研究
一种用于纯化金刚石线锯硅粉以制备高纯度Si的两步法
SOFCs用YSZ-LSGM异质结构复合电解质的增强离子电导率和晶界传导行为
采用直拉法研究杂质浓度和热应力对n型G12单晶硅中空位-氧复合物的影响
双层加热器间隙设计对单晶炉熔体流动行为的影响
一种利用金刚石线锯硅粉和CaF2-MgO废渣制备Al-Si-Ca合金、AlF3和MgF2的新方法
SILICON
IF3.3

