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收藏Radiation damage of Ge-on-Si devices
Ohyama, H.; Sakamoto, K.; Sukizaki, H.; Takakura, K.; Hayama, K.; Motoki, M.; Matsuo, K.; Nakamura, H.; Sawada, M.; Midorikawa, M.; Kuboyama, S.; De Jaeger, B.; Simoen, E.; Claeys, C.
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收藏Fabrication and characterization of vertical-type double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with ultrathin Si channel and self-aligned source and drain - art. no. 072103
Masahara, M; Liu, YX; Endo, K; Matsukawa, T; Sakamoto, K; Ishii, K; O'uchi, S; Sugimata, E; Yamauchi, H; Suzuki, E
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