Z
Zhijia Yang
H指数:12
被引数:561
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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基于物理的紧凑模型,用于考虑源漏隧穿效应的P型弹道纳米线GAA MOSFETs
Nanomaterials
IF4.3
一种适用于P型准弹道/弹道纳米线环绕栅MOSFET的解析紧凑模型,该模型整合了DIBL效应
基于层状双氢氧化物的异质结光热催化剂上太阳能驱动的甲烷与乙烷的耦合
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IEEE ACCESS
IF3.6

