S
Sh. U. Yuldashev
H指数:23
被引数:1,637
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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随着非单调缺陷含量的单调增加:ZnO薄膜在0.3–0.5 M前驱体摩尔浓度下
磁性可调电阻式开关在Mn掺杂SnO2薄膜中
Co:SnO2忆阻器中的NDR:通过纳米团簇控制提升性能
NANOMATERIALS
IF4.3
基于石墨烯电极自组装单硫化锡纳米片的高灵敏度柔性光电探测器
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随着非单调缺陷含量的单调增加:ZnO薄膜在0.3–0.5 M前驱体摩尔浓度下
磁性可调电阻式开关在Mn掺杂SnO2薄膜中
Co:SnO2忆阻器中的NDR:通过纳米团簇控制提升性能
基于石墨烯电极自组装单硫化锡纳米片的高灵敏度柔性光电探测器