W
Wenhong Sun
H指数:23
被引数:2,029
个人简介
暂无内容
教育背景
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工作经历
暂无内容
荣誉奖项
暂无内容
增强型GaN超结CAVET器件,采用双岛N-I-P栅堆叠结构以改善阈值电压
更正:γ射线辐照对工作于255 nm AlGaN紫外LED的影响:通过DLTS和电容谱法进行的缺陷分析
更正:γ射线辐照对工作于255 nm AlGaN紫外LED的影响:基于DLTS和电容-电压谱的缺陷分析
γ射线辐照对工作波长为255 nm AlGaN紫外LED的影响:基于DLTS和电容-电压特性的缺陷分析
MOLECULES
IF4.6
MOCVD制备algan-gan hemt的椭圆偏振光谱及相关研究
NANOMATERIALS
IF4.3
SENSORS
IF3.5
HELIYON
IF3.6
MOLECULES
IF4.6
MATERIALS
IF3.2
MATERIALS
IF3.2
NANOMATERIALS
IF4.3
MATERIALS
IF3.2

