A Multilevel Write-Once-Read-Many-Times Memory Array for Convolutional Operation

Meng-Yang Liu

doi:10.1109/LED.2025.3606481

A Multilevel Write-Once-Read-Many-Times Memory Array for Convolutional Operation

2025-09-05

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DOI：10.1109/LED.2025.3606481

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一次写入多次读取（WORM）存储器作为一种关键的非易失性存储技术，为永久性和低成本存储应用提供了显著优势。然而，其目前难以实现多级存储行为，而这对于未来高密度数据存储和模拟计算应用至关重要。在本文中，我们报道了一种基于溶液法制备的聚酰亚胺（PI）/碳纳米管（CNT）复合材料的多级电阻型WORM存储器。该存储器利用受控的碳化过程实现了多级WORM存储特性，从而获得了八个不同的永久电导状态。此外，我们制备了一个由18个WORM器件构成的多级WORM存储器阵列，该阵列构建了拉普拉斯卷积核用于特征提取操作。实验结果与仿真结果高度吻合，表明了WORM存储器的模拟计算能力。研究结果突显了WORM存储器在模拟计算技术和边缘智能设备中的潜力。

Keyword:

Convolution kernel

WORM memory

multilevel

PI/CNT composite

carbonization

A Multilevel Write-Once-Read-Many-Times Memory Array for Convolutional Operation

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