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Designing Resists for Nanoimprint Lithography Enabling Functional Patterning
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DOI：10.1002/cjoc.70427.png)
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摘要
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纳米压印光刻（NIL）是一种高效率的图案化技术，能够通过模具复制纳米结构实现亚衍射极限分辨率。其核心功能材料——NIL抗蚀剂——的性能对压印纳米结构的分辨率和质量具有决定性影响。本文综述系统地探讨了通过抗蚀剂设计实现纳米压印的功能性图案化。首先深入比较了两种主要光刻材料体系：基于热塑性流动或热固性交联的热纳米压印（T-NIL）抗蚀剂，以及通过紫外光诱导光聚合驱动的紫外纳米压印（UV-NIL）抗蚀剂。讨论涵盖其化学组成（包括环氧树脂、丙烯酸酯和乙烯基醚等树脂）、压印机制、优势与局限性。随后考察了近期开发的抗蚀剂功能材料，重点介绍了树脂、交联化学及纳米材料复合配方方面的创新。详细讨论了功能化NIL抗蚀剂在先进领域的关键应用：在半导体器件图案化中，优化抗蚀剂可支持高密度电路制备；在光学器件中，定制化的光聚合与交联使UV-NIL抗蚀剂能精确复制用于超表面的纳米结构；生物医学应用利用生物相容性抗蚀剂构建药物递送系统。各领域均通过针对应用的抗蚀剂性能优化提升了纳米结构保真度。最后概述了NIL抗蚀剂的未来发展趋势，强调可持续化学、刺激响应交联、有机-无机杂化树脂及缺陷最小化抗蚀剂。纳米压印光刻的进步有望拓展图案化能力至亚10纳米纳米结构、多功能器件及智能制造范式。本综述为设计下一代高性能NIL抗蚀剂及功能性图案化策略提供了基础参考。
Keyword:
Nanoimprint
Lithography
Resists
Resins
Crosslinking
Photopolymerization
Patterning
Nanostructure
期刊
IF:
5.5
论文数:
8.6K
被引数:
1.1W
机构
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