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Relation Between Interface Defects and Bonding Void Sizes

delete2026-02-01
delete0
PRE
AI
F
F. Rieutord *
D
Damien Radisson
D
Didier Landru
O
Oleg Kononchuk
N
Nicolas Philippe Laurent BADEY
L
Lucas Colonel
F
Frank Fournel
L
Larrey, V.
DOI:10.1149/2162-8777/ae4066delete
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摘要

摘要

En 中文
颗粒存在于粘合界面是未粘合区域的原因。本文将未粘合区域与缺陷的特征(高度和直径)相关联。该解析表达式基于经典的点力和平面冲头模型,通过弹性能量计算推导得出。将解析公式的结果与使用J积分和不同实验输入参数的有限元建模计算结果进行比较。随后,通过两种方法一致地获得了具有受控缺陷的一系列样品的粘合能。
Keyword:
wafer bonding
elasticity
defect
flat punch
adhesion
surface energy

期刊

ECS Journal of Solid State Science and Technology 封面图
ECS Journal of Solid State Science and Technology
IF:
2.2
论文数:
266
被引数:
7.8K

机构

U
universite grenoble alpes (uga)
学者数:
2.1W
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communaute universite grenoble alpes
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