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Thin ferroelectric materials for memory devices
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DOI：doi:10.1088/2053-1583/adfa31.png)
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摘要
En 中文
铁电材料已成为下一代电子学领域的关键候选材料，具有非易失性开关、低功耗运行和多功能特性。要在基于互补金属氧化物半导体（CMOS）的技术中充分发挥其潜力，需要在性能、可扩展性和工业可行性之间取得谨慎平衡。本文从评述的角度对主要的铁电材料类别进行了批判性评估，突出了它们的独特优势以及持续存在的集成挑战。我们强调了原子级结构在决定功能行为中的核心作用，并讨论了先进计量技术（特别是扫描透射电子显微镜）对于直接可视化畴动态、缺陷和界面现象的重要性，所有这些都会影响铁电性能。我们指出了当前在制造、材料设计和性能基准测试方面的局限性，并概述了战略路径以弥合知识空白，加速铁电材料从基础研究向可扩展的实际应用的过渡。
Keyword:
ferroelectric materials
atomic-scale structure
scanning transmission electron microscopy
domain dynamics
integration challenges
期刊
IF:
4.3
论文数:
228
被引数:
9.8K
机构
暂无机构信息
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