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Why Sb2Se3/CdS Interface Produces Higher Power Conversion Efficiency
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DOI：10.1021/acs.jpclett.4c03330.png)
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摘要
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开发无镉电子传输层（ETL）是锑硒化物（Sb2Se3）太阳能电池领域的一个关键课题。目前，无镉Sb2Se3太阳能电池的光电转换效率（PCE）仍远低于基于CdS的器件。揭示Sb2Se3/CdS异质结和Sb2Se3/无镉ETL异质结中的电子转移特性对于开发高PCE的无镉Sb2Se3太阳能电池具有重要意义。在本工作中，从PCE、缺陷态钝化、界面电荷分离和载流子动力学（皮秒时间尺度）的角度，系统地研究了Sb2Se3/Cd异质结和Sb2Se3/ZnO异质结。实验结果表明，Sb2Se3/CdS和Sb2Se3/ZnO处的电子转移发生在可比的时间尺度上，时间常数分别为1.38-3.42 ps和1.91-3.17 ps。基于镉器件与无镉器件之间的PCE差距主要由钝化效应决定。CdS对Sb2Se3的优异钝化效应确保了Sb2Se3/CdS异质结处的高电子转移效率。我们的研究结果揭示了提高无镉Sb2Se3太阳能电池性能的关键挑战。
Keyword:
SOLAR-CELLS
期刊
IF:
4.6
论文数:
2.5K
被引数:
7.4W
机构
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引用论文
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