M
M. Hayne
H指数:25
被引数:2,185
个人简介
暂无内容
教育背景
暂无内容
工作经历
暂无内容
荣誉奖项
暂无内容
物理、建模和基准测试:ULTRARAM——一种基于化合物半导体的存储器件
SCIENTIFIC REPORTS
IF3.9
PHYSICAL REVIEW B
IF3.7
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