P
Peter Hodgson
H指数:21
被引数:1,506
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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物理、建模和基准测试:ULTRARAM——一种基于化合物半导体的存储器件
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单片集成到硅上的中红外InAs/InAsSb超晶格nBn光电探测器
ACS PHOTONICS
IF6.7
MATERIALS & DESIGN
IF7.9
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IF3.7
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PHYSICAL REVIEW B
IF3.7
应变速率对超细晶铝合金变形机制及应变速率敏感性的影响
SCRIPTA MATERIALIA
IF5.6

