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收藏Mechanism for increasing dopant incorporation in semiconductors via doped nanostructures
Kuskovsky, Igor L.; Gu, Y.; Gong, Y.; Yan, H. F.; Lau, J.; Noyan, I. C.; Neumark, G. F.; Maksimov, O.; Zhou, X.; Tamargo, M. C.; Volkov, V.; Zhu, Y.; Wang, L.
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收藏Quantitative nanoscale metrology study of Cu/SiO2 interconnect technology using transmission x-ray microscopy
Su, X; Stagarescu, C; Xu, G; Eastman, DE; McNulty, I; Frigo, SP; Wang, YX; Retsch, CC; Noyan, IC; Hu, CK
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