H
Hyun-Yong Yu
H指数:28
被引数:3,282
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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通过ZnO基后中间层沉积退火(PIDA)MIS结构增强a-IGZO S/D接触的热稳定性
解耦范德华α-In2Se3铁电半导体场效应晶体管中面内晶体各向异性依赖的记忆性能
Advanced Materials
IF26.8
通过插入MgO提高HfO2基导电桥随机存取存储器的可靠性
采用后中间层沉积退火(PIDA)的AZO基MIS结构在IGZO FET的源/漏接触中实现了高度增强的肖特基势垒高度。
首次实现边缘接触的α-In₂Se₃铁电半导体场效应晶体管及其在人工异突触中的应用
Small
IF12.1
多功能变体III-V族分布式布拉格反射器,用于在硅衬底上生长的谐振腔面发射器件
PhotoniX
IF19.1
一种新型的AZO包覆方法用于SnO薄膜晶体管,以实现高效的阈值电压调制和电学性能提升
在SnO薄膜晶体管的MIS接触结构中使用ZnO作为中间层的肖特基势垒高度工程和电性能增强
基于离子氧化物基质质子储库对高性能人工突触晶体管中质子-电子耦合效应的增强
ACS NANO
IF16
等离子体处理诱导电荷转移实现范德华单通道负微分跨导
ACS NANO
IF16
用于同时监测神经递质失衡的柔性传感探头
通过消除表面屏蔽电荷来增强范德华 α-In2Se3铁电半导体场效应晶体管中的电极化
SMALL
IF12.1
首次演示基于氧化钇稳定的Hafnia的长保留固态电解质门控晶体管,用于类似人的神经形态计算
SMALL
IF12.1

