蔡丽娥 (Lie Cai)
H指数:10
被引数:308
个人简介
副教授,博士。研究方向为宽禁带半导体材料光电子和功率器件及其TCAD仿真,包括发光器件、功率器件GaN FET。教育经历:1995.09-1999.06于闽南师范大学物理教育专业本科学习;2006.09-2011.07于厦门大学微电子学与固体电子学专业获工学博士学位。长期从事宽禁带半导体材料、发光器件和功率器件的研究。
教育背景
2006.09 – 2011.07
厦门大学 工学博士 微电子学与固体电子学专业
1995.09 – 1999.06
闽南师范大学 本科 物理教育
工作经历
暂无内容
荣誉奖项
暂无内容
利用梯度AlGaN势垒和晶格匹配的四元InAlGaN背势垒抑制增强型GaN HEMT的短沟道效应
高阈值电压、高输出电流和低栅漏电流的p-GaN与槽栅复合栅HEMT的N阱和AlGaN-GaN-AlGaN双势垒帽层研究
GaN基高电子迁移率晶体管,具有沟槽复合栅极和不对称InAlN/AlGaN势垒
SEMICONDUCTORS
IF5.3
VACUUM
IF3.9
具有介质分布布拉格反射器的光泵浦GaN基垂直腔面发射激光器的蓝紫激光

