未登录 A sacrificial HfN interlayer enables oxygen-buffered Mo electrodes for sub-0.4nm equivalent oxide thickness of HfO2/ZrO2 nanolaminates for DRAM capacitors 牺牲HfN中间层实现了用于DRAM电容器的HfO2/ZrO2纳米层状结构中低于0.4nm等效氧化物厚度的氧缓冲钼电极 Park, Ju Yong; Choi, Hyojun; Lee, Jaewook; Jeong, Hyun Woo; Han, Dong In; Lee, Jeonggwang; Park, Kwanhyun; Hong, Heejin; Lee, Su Yong; Jung, Hyung-Suk; Park, Min Hyuk 分享 收藏
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Fungal names: a comprehensive nomenclatural repository and knowledge base for fungal taxonomy Wang, Fang; Wang, Ke; Cai, Lei; Zhao, Mingjun; Kirk, Paul M.; Fan, Guomei; Sun, Qinglan; Li, Bo; Wang, Shuai; Yu, Zhengfei; Han, Dong; Ma, Juncai; Wu, Linhuan; Yao, Yijian 分享 收藏
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