未登录Cycle etching of SiO2 film using Ar plasma irradiation of CHF3-condensed layer at cryogenic temperature below-120 °C在低于-120°C的低温下,使用CHF3冷凝层经Ar等离子体辐照进行SiO2薄膜的循环刻蚀。
Sun, Kuangda; Selvaraj, Suganthamalar; Hazumi, Masahiro; Hsiao, Shih-Nan; Sekine, Makoto; Abe, Chihiro; Sasaki, Toshiyuki; Hayashi, Hisataka; Ishikawa, Kenji; Hori, Masaru
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