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A
A. N. Broers
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29
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130
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2
发表时间
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IF
被引数
Fabrication of SiGe quantum devices by electron-beam induced damage
电子束诱导损伤制备SiGe量子器件
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
IF
3.3
1997-01-01
3
PRE
AI
Ryan, JM; Broers, AN; Paul, DJ; Pepper, M; Whall, TE; Fernandez, JM; Joyce, BA
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LIMITS OF NANO-GATE FABRICATION
PROCEEDINGS OF THE IEEE
IF
25.9
1991-01-01
14
PRE
AI
ALLEE, DR; BROERS, AN; PEASE, RFW
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研究方向
暂时未获取到该数据
合作学者
合作期刊
M
M. Pepper
H 指数: 78 · 论文数: 830
R
R. F. W. Pease
H 指数: 49 · 论文数: 375
D
Douglas J. Paul
H 指数: 41 · 论文数: 456
B
B.A. Joyce
H 指数: 40 · 论文数: 261
J
Joseph M. Ryan
H 指数: 17 · 论文数: 56
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