N
N. Coudurier
H指数:6
被引数:152
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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Ti和Ni基后段制程CMOS兼容的P+-InGaAs欧姆接触,用于未来无线通信
用于中波红外气体传感的直接带隙Ge0.846Sn0.154光电二极管
通过高温氢化物气相外延在c平面蓝宝石上外延生长AlN: 气相N/Al比和低温保护层的影响
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Ti和Ni基后段制程CMOS兼容的P+-InGaAs欧姆接触,用于未来无线通信
用于中波红外气体传感的直接带隙Ge0.846Sn0.154光电二极管
通过高温氢化物气相外延在c平面蓝宝石上外延生长AlN: 气相N/Al比和低温保护层的影响