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P
P. J. Timans
Georgia Institute of Technology
13
H指数
71
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677
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0
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3
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IF
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Rapid thermal process driven intra-die device variations
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
IF
4.6
2022-12-01
1
OA
AI
Tsai, C. H.; Aboy, M.; Pelaz, L.; Hsu, Y. H.; Woon, W. Y.; Timans, P. J.; Lee, C. K.
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Device scaling effect on the spectral-directional absorptance of wafer's front side
INTERNATIONAL JOURNAL OF HEAT AND MASS TRANSFER
IF
5.8
2008-09-01
9
PRE
AI
Fu, Kang; Chen, Yu-Bin; Hsu, Pei-Feng; Zhang, Zhuomin M.; Timans, Paul J.
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Infrared absorption in silicon at elevated temperatures
APPLIED PHYSICS LETTERS
IF
3.6
1996-10-07
43
PRE
AI
Rogne, H; Timans, PJ; Ahmed, H
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研究方向
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合作学者
合作期刊
Z
Zhuomin M. Zhang
H 指数: 43 · 论文数: 210
L
Lourdes Pelaz
H 指数: 24 · 论文数: 215
W
Wei‐Yen Woon
H 指数: 22 · 论文数: 110
P
Pei‐feng Hsu
H 指数: 19 · 论文数: 106
Y
Yu‐Hsiang Hsu
H 指数: 19 · 论文数: 149
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