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J. G. Liu

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发表时间

Improved interface properties of Ge metal-oxide-semiconductor capacitor with TaTiO gate dielectric by using in situ TaON passivation interlayer

APPLIED PHYSICS LETTERS

IF3.6

2011-05-02

6

PREAI

Ji, F.; Xu, J. P.; Liu, J. G.; Li, C. X.; Lai, P. T.

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