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H
Hirofumi Iwata
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IF
被引数
Decrease in Al acceptor density in Al-doped 4H-SiC by irradiation with 4.6 MeV electrons
APPLIED PHYSICS LETTERS
IF
3.6
2003-12-15
43
PRE
AI
Matsuura, H; Aso, K; Kagamihara, S; Iwata, H; Ishida, T; Nishikawa, K
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合作学者
合作期刊
T
Takuya Ishida
H 指数: 22 · 论文数: 99
H
Hideharu Matsuura
H 指数: 20 · 论文数: 157
K
Kazuhiro Nishikawa
H 指数: 12 · 论文数: 47
K
Kōichi Aso
H 指数: 10 · 论文数: 30
S
Sou Kagamihara
H 指数: 6 · 论文数: 10
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