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收藏Fully Ion Implanted Normally-Off GaN DMOSFETs with ALD-Al2O3 Gate Dielectrics具有ALD-Al2O3栅极电介质的完全离子注入的常关型GaN dmosfet
Yoshino, Michitaka; Ando, Yuto; Deki, Manato; Toyabe, Toru; Kuriyama, Kazuo; Honda, Yoshio; Nishimura, Tomoaki; Amano, Hiroshi; Kachi, Tetsu; Nakamura, Tohru
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