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收藏Defect-Engineered Reduction of the Carrier Multiplication Threshold in Monolayer WS2 to 1.6E g缺陷工程调控单层WS2载流子倍增阈至1.6Eg
Li, Jixiu; Zhang, Yutong; Sun, Jian-Dong; Li, Yuanzheng; Yan, Chuxin; Wang, Qingbin; Gao, Yongsheng; Xin, Wei; Fu, Jianhui; Liu, Weizhen; Zhao, Xin-Gang; Xu, Haiyang; Liu, Yichun; Liu, Xinfeng
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