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收藏Polarization-Sensitive Photothermoelectric Response Based on In-Plane Anisotropic Antiferromagnetic Semiconductor CrSBr基于面内各向异性反铁磁半导体CrSBr的偏振敏感光热电响应
Zhou, JY; Yang, YH; Li, SS; Li, YQ; Ni, KP; Li, Y; Söll, A; Gao, WS; Chen, XG; Jiang, YX; Li, L; Yan, Y; Hu, CG; Shen, WF; Sofer, Z; Gong, PL; Tian, ML; Liu, X
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收藏Interface Element Accumulation-Induced Single Ferroelectric Domain for High-Performance Neuromorphic Synapse界面元素积累诱导的单铁电畴高性能神经形态突触
Li, XQ; Liu, JQ; Xu, F; Ali, S; Wu, H; Huang, BH; Deng, HY; Li, YZ; Jiang, YX; Fan, Z; Tang, YL; Wang, YJ; Bououdina, M; Yang, T; Hu, WJ; Zhang, ZD
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收藏Spin Canting Promoted Manipulation of Exchange Bias in a Perpendicular Coupled Fe3GaTe2/CrSBr Magnetic van der Waals Heterostructure自旋倾斜促进垂直耦合的Fe3GaTe2/CrSBr磁性范德瓦尔斯异质结构中交换偏置的调控
Ni, KP; Zhou, JY; Chen, Y; Cheng, HH; Cao, ZY; Guo, JM; Soll, A; Hou, XY; Shan, L; Sofer, Z; Yang, MM; Yue, Y; Xu, JS; Tian, ML; Gao, WS; Jiang, YX; Fang, Y; Liu, X
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