T
T. Baron
H指数:45
被引数:6,477
个人简介
暂无内容
教育背景
暂无内容
工作经历
暂无内容
荣誉奖项
暂无内容
高探测度InGaAs/GaAsP超晶格PIN光电探测器:用于1100 nm应用的薄吸收层GaAs衬底器件
低电阻Ti基欧姆接触在p-GaAsSb上
在V型槽(001)Si衬底上生长的InAs/GaAs量子点激光器MBE制备
Ti和Ni基后段制程CMOS兼容的P+-InGaAs欧姆接触,用于未来无线通信
煽风点火:世界杯预选赛与足球流氓引发的“足球战争”之迷思
探索微发光二极管性能增强的策略: iii-v半导体技术综述
使用原位掺杂和浅台面结构进行SWIR传感的5μm间距InGaAs光电二极管的设计和表征
SENSORS
IF3.5
在标称Si(001) 衬底上制造的InGaAs/GaAsP超晶格谐振腔增强型光电探测器,用于近红外和短波长红外应用
ACS PHOTONICS
IF6.7
NANOMATERIALS
IF4.3
ACS PHOTONICS
IF6.7
在Si上单片生长的单模光子晶体纳米束激光器,用于密集集成
ACS OMEGA
IF4.3
optics letters
IF2.8
通过MOCVD在300毫米Ge缓冲的Si (001) 衬底上生长的O带发射InAs量子点
NANOMATERIALS
IF4.3

