T
Teng Xu
H指数:16
被引数:887
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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在微尺度二维范德华超导体中探测迈斯纳效应
Advanced Materials
IF26.8
具有K膨胀和Ni/Ti压缩的锰基阴极中的双重策略,以实现稳定的钠存储
SMALL
IF12.1
高效轨道矩驱动的脉冲神经形态器件,模拟选择性注意机制以实现自适应性识别
基底温度对KBr薄膜结构、形貌和红外光学性质的影响
materials
IF0
低折射率SiO2纳米柱状薄膜的斜角沉积制备
MATERIALS
IF3.2
用于自旋电子器件的薄膜磁性skyrmim
无机富集固体电解质界面: 提高钠离子电池循环稳定性的关键?
SMALL
IF12.1
可重构逻辑存储器的多铁磁矩的电压控制
NATURE COMMUNICATIONS
IF15.7
NANO LETTERS
IF9.1
多铁异质结构中垂直磁化亚铁磁序和巨磁阻的电场控制
NANO LETTERS
IF9.1
位错引起的面内对称破坏使垂直磁化的无场自旋轨道切换成为可能
NATURE COMMUNICATIONS
IF15.7
通过Pt/ Fe1-xTbx/Ta多层膜中的成分调制对亚铁磁skyrmim进行系统控制
ACS NANO
IF16

