H
Hengan Zhou
H指数:20
被引数:1,580
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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利用3ω方法直接表征SOT-MRAM中的自加热
面向制造的SOT-MTJ器件,具有高可靠性和开关效率
通过轨道杂交增强Rashba自旋分裂强度
ACS NANO
IF16
通过轨道扭矩对拓扑反铁磁体进行有效的电操纵
NATURE COMMUNICATIONS
IF15.7
晶体对称性相关的面内霍尔效应
NANO LETTERS
IF9.1
通过操纵八面体旋转在SrIrO3中产生高能效的自旋电流
NANO LETTERS
IF9.1
层状Rashba材料BiTeI的巨大自旋-电荷转换
NANO LETTERS
IF9.1
ADVANCED MATERIALS
IF26.8
用于手性界面自旋轨道的稀土永磁体SmCo5
横向非对称磁性多层膜中的Neel型椭圆形skyrmim
ADVANCED MATERIALS
IF26.8

